厦门联芯工艺取得重大突破 28纳米HKMG试产良率达98%

东南网3月27日（福建日报记者　廖丽萍　通讯员　雷飏）记者从厦门火炬高新区管委会获悉，园区企业联芯集成电路制造（厦门）有限公司已于今年2月成功试产采用28纳米High-K/Metal Gate工艺制程的客户产品，试产良率高达98%。这是该公司28纳米Poly/SiON制程技术成功量产以来，再次取得技术发展上的新里程碑。

据介绍，联芯28纳米High- K/Metal Gate工艺制程采用了目前全球最先进的Gate Last制程技术，能大幅减少栅极的漏电量，提升晶体管的性能，可以应用于更多样化的各类电子产品。

目前，联芯能同时提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工艺技术，成为国内最先进的28纳米晶圆专工企业，标志着厦门集成电路制造水平又迈上了一个新台阶，对奠定厦门集成电路产业在全国的战略地位具有重要意义。

联芯集成电路制造项目总投资62亿美元，是海峡两岸合资建设的第一座12英寸晶圆厂，也是福建省目前投资金额最大的单体项目。联芯于2016年11月正式营运投产，目前公司正全力提速至满载产能。